Hardware

จงบอกประเภทของแรม (RAM)

1. Static Random Access Memory ( SRAM )     คือ RAM ซึ่งเก็บรักษาข้อมูลบิตไว้ในหน่วยความจำของมันตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงอยู่ ไม่เหมือนกับดีแรม (DRAM) ที่เก็บข้อมูลไว้ในเซลซึ่งประกอบขึ้นด้วยตัวเก็บประจุหรือคาปาซิเตอร์ (Capacitor) และทรานซิสเตอร์ (Transistor)

2. Dynamic Random Access Memory ( DRAM )

            คือ RAM หรือ หน่วยความจำชนิดปกติสำหรับเครื่องคอมพิวเตอร์พีซีและเครื่องเวิร์คสเตชั่น (Workstation) ลักษณะของ DRAM จะเป็นคล้ายกับเครือข่ายของประจุไฟฟ้าที่เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้เก็บข้อมูลในรูปของ "0" และ "1" ที่สามารถเข้าถึงได้ง่ายๆ        
ประเภทของ DRAM ในท้องตลาดแบ่งได้เป็น 4 ประเภทหลัก ๆ

                        2.1)  FPM DRAM

รูปแสดง

FPM DRAM

 

                                    เป็น RAM ชนิดที่ใช้กับ PC ในยุคเริ่มต้น โดยมีรูปแบบคือ SIMM (Single Inline Memory Modules) ปกติจะมีแบบ SIMM ละ 2, 4, 8, 16 และ 32 MB โดยมีค่า refresh rate ของวงจรอยู่ที่ 60 และ 70 nana sec. โดยค่า refresh ที่น้อยกว่าจะความเร็วมากกว่า

                        2.2)  EDO DRAM

รูปแสดง EDO-DRAM

                                    เป็นชนิดที่ปรับปรุงมาจาก FPM โดยมีการปรับปรุงเรื่องการอ่านข้อมูล โดยทั่วไปแล้วการอ่านข้อมูลจาก RAM จะต้องระบุตำแหน่งแนวตั้ง และแนวนอนให้แก่วงจร RAM ถ้าเป็นชนิด FPM แล้วต้องระบุแนวใดแนวหนึ่งให้เสร็จเสียก่อน แล้วจึงระบุอีกแนวหนึ่ง แต่ EDO สามารถระบุค่าตำแหน่งในแนวตั้ง (CAS) และแนวนอน (RAS) ได้ในเวลาที่ใกล้เคียงกัน หรือพร้อมกันได้

                        2.3)  SDRAM

รูปแสดง SDRAM

                        เป็น RAM ชนิดที่ได้รับความนิยมมากที่สุดในปัจจุบัน โดย 1 DIMMs จะมี 168 ขา และส่งข้อมูลได้ทีละ 64 บิต ทำให้ SDRAM แผงเดียวก็สามารถทำงานได้ เวลาในการเข้าถึงข้อมูลของ SDRAM จะมีค่าประมาณ 6-12 n Sec. ปัจจุบัน SDRAM สามารถทำงานได้ที่ความถี่ 66, 100 และ 133 MHz

                        2.4)  RAMBUS

รูปแสดง Rambus

                        พัฒนามาจาก DRAM แต่มีการออกแบบสถาปัตยกรรมภายในใหม่ทั้งหมด มีการเปลี่ยนแปลงระบบการเข้าถึงข้อมูลภายใน RAM ให้มีประสิทธิภาพมากขึ้น โดยใช้หลักการ “Pre-fetch” หรืออ่านข้อมูลล่วงหน้าโดยระหว่างนั้น CPU สามารถทำงานอื่นไปพร้อม ๆ กันด้วย packet ของ RAMBUS จะเรียกว่า RIMMs (Rambus Inline Memory Modules) ซึ่งมี 184 ขา

                                    RAMBUS ทำงานกับไฟกระแสตรง 2.5 V ภายใน 1 RIMMs (Rambus Inline Memory Modules) จะมีวงจรสำหรับควบคุมการหยุดจ่ายไฟแก่แผงวงจรหน่วยความจำย่อยของ RAMBUS ซึ่งยังไม่ถูกใช้งานขณะนั้น เพื่อช่วยให้ความร้อนของ RAMBUS ลดลง และวงจรดังกล่าวจะทำหน้าที่ลดความเร็วของ RAMBUS ลง หากพบว่าความร้อนของ RAMBUS ขณะนั้นสูงเกินไป

            แผงวงจรหน่วยความจำย่อยของ RAMBUS 1 แผงจะรับ-ส่งข้อมูลทีละ 16 บิต โดยใช้ความถี่ 800 MHz ซึ่งเกิดจากความถี่ 400 MHz แต่ทำงานแบบ DDR (Double Data Rate) ทำให้ได้ bandwidth ถึง 1.6 GB/Sec. และจะมี bandwidth สูงถึง 6.4 GB/Sec. ถ้าใช้แผงวงจรย่อย 4 แผง

 จงบอกประเภทของรอม

Read-Only Memory (ROM)

Read-Only Memory (ROM) เป็นหน่วยความจำที่ติดมากับเครื่องคอมพิวเตอร์ ซึ่งเก็บข้อมูลประเภทที่ตามปกติให้อ่านอย่างเดียว ROM มีโปรแกรมที่ยินยอมให้คอมพิวเตอร์ "booted up" หรือเรียกใช้เมื่อเปิดเครื่อง ROM จึงแตกต่างจาก RAM โดยที่ข้อมูลของ ROM ไม่เคยหายไปเมื่อปิดเครื่อง โดย ROM ได้รับไฟเลี้ยงจากแบตเตอรี่ภายในเครื่อง

Rom มีทั้งหมด 3 ประเภท คือ

1. Mask ROM 

 

เป็นรอมที่ถูกโปรแกรมมาแล้วจากโรงงาน โดยข้อมูลหรือโปรแกรมที่อยู่ในรอมชนิดนี้เป็นโปรแกรมที่ใช้ควบคุมการทำงานของเครื่องจักร หรืออุปกรณ์ที่รอมตัวนั้นถูกต่อใช้งานอยู่ ผู้ใช้ไม่สามารถนำรอมชนิดนี้มาโปรแกรมเองได้

2. PROM (Programable ROM) 

 

เป็นหน่วยความจำรอมประเภทที่ผู้ใช้สามารถเขียนคำสั่ง แล้วบันทึกเอาไว้อย่างถาวร โดยอาศัยเครื่องมือเฉพาะ แต่คำสั่งที่บันทึกนั้นไม่สามารถแก้ไขได้อีก โดยป้อนพัลส์แรงดันสูง (HIGH VOLTAGE PULSED) ทำให้ METAL STRIPS หรือ POLYCRYSTALINE SILICON ที่อยู่ในตัว IC ขาดออกจากกัน ทำให้เกิดเป็นลอจิก “1” หรือ “0” ตามตำแหน่ง
ที่กำหนดในหน่วยความจำนั้นๆ เมื่อ PROM ถูกโปรแกรมแล้ว ข้อมูลภายใน จะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อีก หน่วยความจำชนิดนี้ จะใช้ในงานที่ใช้ความเร็วสูง ซึ่งความเร็วสูงกว่า หน่วยความจำ ที่โปรแกรมได้ชนิดอื่นๆ

3. EPROM (Erasable PROM) 

 

เป็นหน่วยความจำรอมประเภทที่สามารถเขียนคำสั่ง บันทึกและแก้ไขด้วยเครื่องมือเฉพาะได้หลายๆ ครั้ง ข้อมูลจะถูกโปรแกรม โดยผู้ใช้โดยการให้สัญญาณ ที่มีแรงดันสูง (HIGH VOLTAGE SIGNAL) ผ่านเข้าไปในตัว EPROM ซึ่งเป็นวิธีเดียวกับที่ใช้ใน PROM แต่      ข้อมูลที่อยู่ใน EPROM เปลี่ยนแปลงได้ โดยการลบข้อมูลเดิมที่อยู่ใน EPROM ออกก่อน แล้วค่อยโปรแกรมเข้าไปใหม่ การลบข้อมูลนี้ทำได้ด้วย
 การฉายแสง อุลตร้าไวโอเลตเข้าไปในตัว IC โดยผ่าน ทางกระจกใส ที่อยู่บนตัว IC เมื่อฉายแสง ครู่หนึ่ง (ประมาณ 5-10 นาที) ข้อมูลที่อยู่ภายใน ก็จะถูกลบทิ้ง ซึ่งช่วงเวลา ที่ฉายแสงนี้ สามารถดูได้จากข้อมูล ที่กำหนด (DATA SHEET) มากับตัว EPROM และ มีความเหมาะสม ที่จะใช้ เมื่องานของระบบ มีโอกาส ที่จะปรับปรุงแก้ไขข้อมูลใหม่ 
 

4. EAPROM (Electrically Alterable PROM) หรือเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า EEPROM (Electrically Erasable PROM)

 

เป็นรอมที่ผู้ใช้สามารถโปรแกรมข้อมูลเข้าไปเองได้โดยใช้เครื่องโปรแกรม และสามารถลบข้อมูลแล้วโปรแกรมใหม่ได้เช่นเดียวกับ EPROM แต่ข้อแตกต่างระหว่าง EPROM และ EEPROM อยู่ที่  กระบวนการในการลบข้อมูลซึ่ง EPROM ลบข้อมูลด้วยแสงอัลตร้าไวโอเล็ต ส่วน EEPROM ลบข้อมูลด้วย   ไฟฟ้า โดยการป้อนไฟฟ้าแรงดันสูงประมาณ 21 โวลต์เข้าไปที่เซลล์หน่วยความจำที่ต้องการลบ ซึ่งการลบด้วยไฟฟ้ามีข้อดีกว่าตรงที่สามารถเลือกลบข้อมูลทั้งหมดหรือลบข้อมูลบางส่วนได้ 

อ้างอิง   http://webserv.kmitl.ac.th/~s8035503/Unnamed%20Site%201/data16.htm

          http://www.vcharkarn.com/vblog/